Samsung, znany producent pamięci, stworzył 8-gigabitową pamięć NAND flash. Udało się to dzięki wykorzystaniu procesu 60nm. Nowe układy są mniejsze o 30% od o połowę mniej pojemnych pamięci, wykonanych w procesie 70nm. Taka wielkość oznacza, że będzie możliwe stworzenie kart pamięci o pojemności do 16GB. Zmieszczą się tam prawie dwie dwuwarstwowe płyty DVD. Samsung przedstawił też 2-gigabitowy układ DDR-2 SDRAM, wykonane w procesie 80nm. Dzięki wykorzystaniu trójwymiarowej struktury, technologii RCAT i nowych bramek z izolatorem o grubości 20 angstremów będzie można stworzyć moduły DIMM o pojemności 8GB.
K O M E N T A R Z E
heh (autor: pajorro | data: 20/09/04 | godz.: 20:08) A ja mam dysk 13 GB ;-) Trzeba myśleć o upgrade. Ale najpierw procek, płyta i ram :-)
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
