Koreańska firma Hynix Semiconductor zaprezentowała nowe rejestrowane moduły pamięci DIMM o pojemności 4GB oraz moduły SO-DIMM o pojemności 2GB. Pierwsza z pamięci produkowana jest z 1Gbitowych układów DDR2-533 SDRAM, druga zaś to 16 chipów DDR2-533 SDRAM. Maksymalna przepustowość urządzeń w systemach 64-bitowych według informacji producenta wynosi 4300MB/s. Opóźnienie zapisu jest równe opóźnieniu odczytu i wynosi jeden cykl zegarowy.
Nowości przeznaczone są do współpracy z najnowszymi chipsetami Intela, kompatybilnymi z takimi pamięciami. Jak podaje producent, najnowsze rozwiązania DDR2 umocnią pozycje Hynixa na rynku, szczególnie w segmencie produktów DDR2 SDRAM.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
Koreańska firma Hynix Semiconductor zaprezentowała nowe rejestrowane moduły pamięci DIMM o pojemności 4GB oraz moduły SO-DIMM o pojemności 2GB. Pierwsza z pamięci produkowana jest z 1Gbitowych układów DDR2-533 SDRAM, druga zaś to 16 chipów DDR2-533 SDRAM. Maksymalna przepustowość urządzeń w systemach 64-bitowych według informacji producenta wynosi 4300MB/s. Opóźnienie zapisu jest równe opóźnieniu odczytu i wynosi jeden cykl zegarowy.