Advanced Micro Devices (AMD) ujawniło szczegóły technologii produkcji trójbramkowych tranzystorów z wykorzystaniem rozwiązania krzem na izolatorze (SOI) i bramek metalowych. Według przedstawicieli firmy wydajność uzyskanych w ten sposób układów jest aż o 50% wyższa niż w wypadku rozwiązań konkurencji. Od strony technicznej innowacyjny pomysł AMD wygląda następująco: super-cienka ścieżka elektryczna wykorzystująca technologię SOI zostaje z 3 stron otoczona przez metalowe bramki wykonane ze stopu niklu i krzemu. Takie połączenie powoduje rozciąganie atomów krzemu we wnętrzu ścieżki, co zwiększa szybkość przemieszczania się ładunków elektrycznych i w konsekwencji przyspiesza przełączanie.
Tranzystory trójbramkowe to jedna z technologii przyszłości - pozwala zwiększyć wydajność układów scalonych przy równoczesnym ograniczeniu poboru mocy. Dzięki wykorzystaniu rozwiązań stosowanych już dzisiaj, trójbramkowe tranzystory AMD mogą znaleźć zastosowanie w układach produkowanych masowo już w roku 2007.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
