|
TwojePC.pl © 2001 - 2024
|
 |
Czwartek 12 czerwca 2003 |
 |
| |
|
Trójbramkowy tranzystor się zbliża
Autor: DYD | źródło: e-mail | 14:17 |
(2) | KYOTO, Japonia, 12 czerwca 2003 - Podczas sympozjum poświęconego technologii VLSI oraz obwodom scalonym, w Kyoto w Japonii, firma Intel Corporation podała nowe informacje dotyczące tranzystora "trójbramkowego", który przechodzi z fazy badawczej do projektowej. Konstrukcja tego trójwymiarowego tranzystora umożliwi Intelowi produkowanie procesorów o większej wydajności i mniejszym poborze mocy
- zgodnie z prawem Moore'a.
Ujawniono też wyniki badań dotyczących opracowania cyfrowego radia CMOS przy użyciu taniej technologii produkcyjnej oraz projektowania wydajnych obwodów scalonych o małym poborze mocy. Szybkie tranzystory to jeden z kluczowych składników wydajnego mikroprocesora. Od czasu pierwotnego oświadczenia w zeszłym roku badacze z firmy Intel zdołali zmniejszyć rozmiar tranzystora trójbramkowego (mierzony długością bramki) z 60 do 30 nanometrów (nm). Tranzystory z mniejszą bramką są szybsze, co pozwala na projektowanie szybszych procesorów.
"Nasze najnowsze badania wskazują, że skalowalność, wydajność i łatwość wytwarzania procesora trójbramkowego pozwolą rozpocząć jego produkcję już w 2007 roku w oparciu o 45-nanometrowy proces technologiczny" - powiedział Sunlin Chou, starszy wiceprezes i dyrektor generalny Technology and Manufacturing Group w Intelu. "Wyniki pozwalają zaliczyć nieplanarne, trójwymiarowe struktury tranzystorowe do najbardziej obiecujących innowacji nanotechnologicznych, które pozwolą na dalszą miniaturyzację obwodów krzemowych i sprawią, że prawo Moore'a będzie nadal obowiązywać".
Trójbramkowy tranzystor firmy Intel korzysta z nowatorskiej, trójwymiarowej struktury bramki, przypominającej wzniesienie z pionowymi ścianami, co pozwala przesyłać sygnały elektryczne po górnej powierzchni bramki i wzdłuż obu ścian. W rezultacie trzykrotnie zwiększa się przestrzeń dostępna dla sygnałów elektrycznych - jak po przebudowie jednopasmowej drogi w trójpasmową autostradę - choć tranzystor nie zajmuje więcej miejsca. Dzięki temu tranzystor trójbramkowy jest znacznie wydajniejszy od obecnych planarnych (płaskich) tranzystorów.
Tranzystor trójbramkowy firmy Intel jest zaprojektowany w taki sposób, aby dało się wytwarzać go na dużą skalę, co będzie kluczowym czynnikiem podczas przechodzenia od fazy projektowej do produkcyjnej. Tranzystor trójbramkowy rozwiązuje też problem upływności elektrycznej, które staje się coraz bardziej palący w miarę zmniejszania urządzeń CMOS.
Ze względu na unikatową strukturę upływ prądu w tranzystorze trójbramkowym jest znacznie mniejszy niż w tranzystorze planarnym tej samej wielkości. Intel przesunął tranzystor trójbramkowy z fazy badawczej do projektowej, a pierwsze eksperymentalne urządzenia powstały w fabryce płytek półprzewodnikowych (Fab D1C) w Hillsboro w stanie Oregon.
Badania nad radiem CMOS
Na sympozjum VLSI Intel ogłosił też nowe wyniki badań nad radiem krzemowym, dzięki którym firma próbuje przyspieszyć integrację technologii obliczeniowej i komunikacyjnej, budując radia w tym samym tanim procesie technologicznym CMOS, którego używa do masowej produkcji mikroprocesorów i zestawów układów scalonych. W przyszłości radia krzemowe będą wbudowywane w układy scalone firmy Intel, aby każde urządzenie oparte na jednym z tych układów było zdolne do komunikacji bezprzewodowej.
Badacze z firmy Intel ujawnili, że w oparciu o proces technologiczny CMOS udało im się zbudować wysokiej jakości oscylator działający z częstotliwością 5 GHz (używanej przez standard 802.11a). Ten sam sygnał 5 GHz można wykorzystać do generowania sygnałów w paśmie 2,4 GHz (używanym przez standardy 802.11b i g). Oscylator jest jak zawodnik narzucający tempo biegu: określa częstotliwość nadawania i odbierania sygnałów. Ponadto Intel opracował syntezator pracujący z częstotliwością 10 GHz, który pozwoli na znacznie szybsze przełączanie kanałów radiowych niż istniejące rozwiązania. Zdolność do szybkiego przełączania i nasłuchiwania na różnych kanałach pozwoli radiu zlokalizować i wykorzystać najlepsze pasmo w danym środowisku. Dzięki temu połączenia bezprzewodowe będą miały wyższą przepustowość, przedłużony zasięg i większą niezawodność.
Te kluczowe składniki radiowe zwykle produkuje się wyłącznie w technologii analogowej. Intel zbudował jednak oscylator i syntezator w oparciu o 0,18-mikronowy proces technologiczny CMOS. Wytwarzając analogowe składniki radiowe w cyfrowym procesie produkcyjnym Intel zamierza obniżyć koszty uzupełniania przyszłych produktów o funkcje łączności bezprzewodowej.
Obwody o wysokiej wydajności i niskim poborze mocy
Intel przedstawił też dodatkowe referaty poświęcone projektowaniu obwodów o wysokiej wydajności i niskim poborze mocy. W miarę zmniejszania tranzystorów coraz poważniejszymi problemami stają się upływ prądu, rozpraszanie ciepła i zmienność parametrów tranzystora. Badacze z firmy Intel pracują nad technologiami kontrolowania i unikania, które mają zminimalizować wpływ tych czynników, a także nad metodami zwiększania wydajności obliczeniowej, aby zaprojektować procesory o wyższej wydajności, które pobierają mniej mocy i wytwarzają mniej ciepła. Ostatecznym celem jest dalsze podążanie szlakiem prawa Moore'a i położenie fundamentów pod bardziej energooszczędną technologię komputerową. |
| |
|
|
|
|
|
 |
 |
|
|
|
K O M E N T A R Z E |
 |
| |
|
- no to zobaczymy (autor: Chrisu | data: 12/06/03 | godz.: 15:37)
co z tego wyjdzie...
- O takich tranzystorach mówi się od lat... (autor: Metallion | data: 13/06/03 | godz.: 22:55)
tylko jakoś nie widać ich wdrożenia do produkcji. Widocznie nie opanowano jeszcze na tyle technologii ich wytwarzania. Choć z drugiej strony istnieje możliwość, że wypuszczenie takiego rozwiązania jest sztucznie wstrzymywane, bo np. rachunek ekonomiczny wskazuje, że byłoby to nieopłacalne.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
D O D A J K O M E N T A R Z |
|
| |
|
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
