Samsung Electronics oficjalnie rozpoczął masową produkcję 512-MegaBitowych modułów pamięci DDR-II o pojemności 1GB. Nowe pamięci osiągają dwukrotnie wyższy transfer niż standardowe moduły DDR, przy taktowaniu tym samym zegarem. DDR-II osiągną przepustowość w granicach 533-667Mbps (w zależności od takotwania) i są zasilane napięciem 1,8V. Kości przeznaczone będą na rynek wysokowydajnych PC oraz serwerów. 512Mbit-owe moduły DDR-II zostały zatwierdzone jako standard przez międzynarodową organizację JEDEC w maju zeszłego roku.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
