Samsung prezentuje 12-warstwowe pamięci z połączeniem TSV
Autor: Wedelek | źródło: Tech Power Up | 05:30
(3)
Samsung opracował nową metodę produkcji wielowarstwowych pamięci NAND Flash i DRAM z użyciem technologii 3D-TSV (Through Silicon Via). Umożliwia ona budowanie stosów pamięci składających się z aż 12 warstw połączonych ze sobą za pomocą 60 tysięcy punktów (dla każdej warstwy). Odstęp pomiędzy poszczególnymi warstwami wynosi 1/20 grubości ludzkiego włosa, a całość jest gruba na 720 µm, co odpowiada 8-warstwowej pamięci HBM2. Zaletą nowego rozwiązania jest oszczędność miejsca na PCB przy znacznie większej pojemności zastosowanej kości oraz niższe opóźnienia w komunikacji pomiędzy poszczególnymi warstwami.
K O M E N T A R Z E
Samsung widać celuje tam gdzie będzie miał największy zbyt. (autor: Mario1978 | data: 8/10/19 | godz.: 11:46) Dobre podejście.Myślę , że to są także przygotowania pod przyszły grunt bo oni się śpieszą z wdrożeniem odmiennego sposoby produkcji tranzystorów -Gate All Around- gdzie tylko około 10% techniki FinFet znajdzie swoje zastosowanie.
Jeżeli to prawda i porzucili swoje rodzime rdzenie CPU Mongoose to widać nie chcą wchodzić na chwilę obecną w konflikt z USA bo im niepotrzebny.
Chiny to co innego ponieważ reprezentują znacznie większe interesy i mogą sobie na to pozwolić.
2-- (autor: Mario1978 | data: 9/10/19 | godz.: 12:55) Są informacje na temat 'pozostawienia' Mongoose' na przyszły rok i zastąpienie ich A77 od ARM.Ale niektórzy piszą o porzuceniu dlatego wolę poczekać na więcej oficjalnych danych.Nie po darmo Samsung śpieszy się z wdrożeniem swojego GAA szybciej ponieważ to koniec FinFet w obecnej postaci.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
