Organizacja JEDEC (Joint Electronic Devices Engineering Council) zajmująca się standaryzacją typów pamięci zapowiedziała właśnie wydanie nowej wersji standardu UFS (Universal Flash Storage) - w oparciu o który budowane są pamięci stosowane m.in w smartfonach. Nowy standard UFS 3.0 pozwoli na budowę pamięci o dwukrotnie większej szybkości niż w przypadku pamięci opartych o standard UFS 2.1. Do wymiany danych z resztą komponentów służyć będzie interfejs o szybkości 11,6 Gbps - dwukrotnie większej niż w pamięciach UFS 2.1. Oznacza to, że w praktyce maksymalna przepustowość tego typu pamięci wyniesie 1200 MB/s - dwukrotnie więcej niż w komputerowym SATA 6.0 Gbps.
Oczywiście faktyczna prędkość będzie zależeć od możliwości modułów pamięci, a nie interfejsu komunikacyjnego. Kolejna z nowości to obniżone napięcie zasilające, z 2,7-3,6 V do 2,5 V, dzięki któremu nowe pamięci mają konsumować mniejsze ilości energii elektrycznej.
Pamięci Flash typu UFS są głównie stosowane we wszelkiego rodzaju zminiaturyzowanej elektronice, w tym w większości smartfonów dostępnych na rynku.
K O M E N T A R Z E
Ten standard szybko zostanie (autor: Mario1978 | data: 2/02/18 | godz.: 21:47) wykorzystany a pewnie spokojnie przekroczony ponieważ sam SAMSUNG ujawnił w tamtym roku ,że ich nowy nośnik o pojemności 512GB UFS 2.1 do Smartfonów ma przepustowość zbliżoną do 900Megabajtów dla odczytu i 290Megebajtów dla zapisu więc w przypadku odczytu SATA 3 już zostało pobite przez wersje nieznacznie wolniejsze o pojemności 256GB ,które są na przykład w iPhone X w tej wersji najdroższej.
Ciekawi Mnie jak SAMSUNG będzie reklamował swoje NOTE 9 właśnie z nośnikiem 512GB bo nie ulega wątpliwości ,że będzie chciał wydać wersje najwyższą PREMIUM używając przez siebie produkowanych chipów.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
