Apple A10X jest wytwarzany w 10nm litografii

M E N U

» Nowości

» Archiwum

» Recenzje / Testy

» Board

» Rejestracja

Szukaj @ TwojePC

Poniedziałek 3 lipca 2017

Apple A10X jest wytwarzany w 10nm litografii Autor: Wedelek \| źródło: GSMArena \| 06:59	(4)
Tablety iPad Pro to pierwsze urządzenia Apple z procesorem A10X, następcą układu A9X. Po głębszej analizie okazało się, że wymieniony SoC jest wytwarzany z wykorzystaniem nowej litografii od TSMC. Miejsce procesu 16nm FinFET zajął 10nm. Dzięki temu producent mógł zaprojektować SoC złożone z większej ilości tranzystorów, upakowanych na mniejszej powierzchni. Na 96,4 mm^2 zmieściły się trzy moduły Fusion, każdy złożony z dwóch rdzeni o kodowej nazwie Hurricane oraz Zephyr, pamięć podręczna procesora, a także 12 klastrowy układ IGP z rodziny PowerVR. Dla porównania zajmujący o 34% większą powierzchnię A9X dysponował podobnym IGP, ale tylko dwoma rdzeniami Twister, zamiast sześciu (3x Hurricane + 3x Zephyr), jak w A10X. Jednocześnie nowy SoC Apple jest mniejszy o 24% od słabszego A10, który składa się z IGP od Imagination Technologies, dwóch rdzeni Hurricane i dwóch Zephyrów. Procesor iPhone’a 7 wytwarzany jest w 16nm litografii i zajmuje powierzchnię 125 mm^2, na której upakowano 3,3-miliarda tranzystorów. Na koniec przypominam, że nazwy procesów litograficznych należy traktować jako nazwy handlowe. W rzeczywistości 10nm od Intela nie jest równy 10nm od TSMC czy Global Foundries. Układy wytwarzane przez różnych dostawców mają bowiem inne rozmiary tranzystorów oraz charakterystykę.

K O M E N T A R Z E

Przynajmniej artykuł... (autor: Mario1978 | data: 3/07/17 | godz.: 16:09)
krótki i sensowny bo rację ,trzeba przyznać ,że INTEL swoją litografię ma na niższych wymiarach tranzystora i szczególnie było to widoczne teraz przy stosowaniu 14nm.Konkurencja była z tyłu i to zdecydowanie jednak nowe 10nm da już nie znaczną przewagę na produktami konkurencji w tej samej litografii no ale przed Nami zbliżają się produkty już w 7nm i na tym polu NIEBIESCY będą musieli ustąpić bo nawet jeżeli bliżej temu procesowi do 8 czy 9nm to INTEL będzie miał nieznacznie mniej od 10nm.
Firma ta strasznie zaspała bo mogła wytyczać szlaki rozwoju technologi w coraz niższym wymiarze zwłaszcza ,że FANI NIEBIESKICH hojnie płacili za ich przewartościowane produkty końcowe ale widocznie na rękę tej firmie była stagnacja dla tego nie szkoda mi tej firmy ,dla której zaczął się najgorszy okres w historii na rynku CPU i będzie on trwał przynajmniej kilka lat.Przyszły rok pokaże w statystykach ,że za zbyt głęboki dół sobie wykopali a potem kolejny rok 2019 to będzie szok poporodowy dla tej firmy gdy produkty konkurencji będą dalej nie dość, że tańsze to i szybsze bez porównania z powodu 7nm IBM-GF.
npo i co SONY .. (autor: nicoli | data: 3/07/17 | godz.: 22:03)
intel ze swoim gównem moze sie schować hheehehe
@1. (autor: Kenjiro | data: 3/07/17 | godz.: 22:46)
Według analiz Intelowe 14nm jest gęściejsze niż 10nm od TSMC, a tym bardziej Samsunga czy GF, więc jeśli Intel będzie mieć 10nm, to zapewne będzie gęściejsze niż 7nm TSMC, ale to się dopiero okaże, bo daleko im jeszcze do pełnoprawnego procesu (no może poza Intelem, który jest na finiszu).
--3 (autor: Mario1978 | data: 4/07/17 | godz.: 12:24)
Proszę Cię jest tyle artykułów na ten temat więc wystarczyło odpowiednie informacje wyciągnąć.
14nm++ mieści 37.5MT/mm2 zaś 10nm TSMC dla rynku low power mieści 60.2MT/mm2 i właśnie z tego korzystać będzie nowy FUSION APPLE.
To prawda ,że INTELOWSKIE 10nm nie będzie mieć sobie równych bo 100MT/mm2 jednak NIEBIESCY będą mieli problem dla rynku PERFOMANCE gdzie liczy się wysoki zegar gdyż ta rewizja nie pozwala na osiąganie wysokiego taktowania i to samo z rewizją drugą ,która będzie jeszcze trochę słabsza od tego 14nm w i7 7740k.
Masz sporo wiadomości na ten temat GF proces produkcji dopracowuje gdyż 7nm jest już gotowe (chodzi o uzysk)
Według informacji ,które są już określone 7nm TSMC będzie mieścić około 110MT/mm2 zaś 7GF bez używania EUV(można także nazwać IBM_GF ten proces bo ścieżki wytyczyła w tym procesie właśnie ta pierwsza firma) będzie mieć koło 120MT/mm2 zaś SAMSUNG swoje 7nm dopracowuje by osiągnąć około 125MT/mm2.
Jeden z parametrów bramki u INTELA ma mieć 42nm zaś u GF 36nm więc po raz pierwszy w historii NIEBIESCY w przyszłym roku będą miały gorszy proces produkcji od wymienionych firm tutaj.
Tak na prawdę SAMSUNG już zdetronizował lidera litografii bo jego ponad 50MT/mm2 jest już produkowane od końca tamtego roku a w czerwcu tego roku już druga rewizja tego procesu się pojawiła.

D O D A J K O M E N T A R Z

Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.