IBM pokazał pierwsze na świecie układy wykonane w technologii 7nm

M E N U

» Nowości

» Archiwum

» Recenzje / Testy

» Board

» Rejestracja

Szukaj @ TwojePC

Piątek 10 lipca 2015

IBM pokazał pierwsze na świecie układy wykonane w technologii 7nm Autor: Giray \| źródło: thg.ru \| 17:33	(10)
W niedalekiej przyszłości sprawdzające się od ponad 50 lat empiryczne prawo Moore'a osiągnie swój kres. Zbliżamy się bowiem do chwili, kiedy nawet najbardziej zaawansowana technologia produkcji półprzewodników nie pozwoli co dwa lata podwoić liczby tranzystorów w układzie scalonym. Zaprezentowanie przez IBM pierwszego układu scalonego wykonanego w litografii 7nm świadczy o tym, że ta chwila jeszcze nie nadeszła. W ubiegłym roku IBM pozbył się swojego zaplecza produkcyjnego na rzecz GlobalFoundries, jednak amerykańska firma nadal angażuje się w rozwój półprzewodników i z licencjonowania swoich dokonań w tej dziedzinie osiąga całkiem spory dochód. Poza zmniejszeniem procesu technologicznego IBM opracował nowy materiał półprzewodnikowy. Czysty krzem zastąpić ma stop krzemowo-germanowy, który poza zmniejszeniem wielkości tranzystora w stosunku do tego jaki on byłby w procesie opartym wyłącznie na krzemie pozwoli na szybsze przełączanie się tranzystorów jak i też zmniejszenie zużycia energii. Produkcja układów w technologii 7-nm musi odbywać się w specjalnych budynkach. Tylko w ten sposób można całkowicie wyeliminować drgania urządzeń produkcyjnych używających litografii EUV. Według IBM technologia 7nm pozwala na tworzenie mikroprocesorów z ponad 20 mld tranzystorów. Proces jest nadal w fazie rozwoju i IBM w związku z tym nie sprecyzował kiedy 7-nanometrowe układy scalone będą gotowe do masowej produkcji. Z kolei TSMC już zdążył zapowiedzieć przejście na litografię 7nm w 2017 roku.

K O M E N T A R Z E

a mowia (autor: biuro74 | data: 10/07/15 | godz.: 19:04)
ze kurz nie szkodzi ;-)
Że co? (autor: KamieniKupa | data: 10/07/15 | godz.: 23:25)
"stop krzemowo-germanowy" - mamy tu do czynienia z metalurgią ?? Jak już to krzem domieszkowany germanem lub po prostu napisać SiGe.

"W niedalekiej przyszłości sprawdzające się od ponad 50 lat empiryczne prawo Moore'a osiągnie swój kres."
Może się okazać, że druga pochodna względem czasu będzie dodatnia a nie ujemna :).
SiGe to związek (autor: Giray | data: 11/07/15 | godz.: 01:06)
Czysty krzem i german to tzw. półmetale, więc określenie "stop" jest tu jak najbardziej na miejscu, tym bardziej, że bardzo powszechny stop węgla, który nawet półmetalem nie jest, i żelaza jest bez zadnych zastrzeżeń nazywany stopem. zastanów się nad źródłosłowem tego określenia :D
Giray... (autor: muerte | data: 11/07/15 | godz.: 10:08)
Jak zwykle pleciesz bzdury, już powoli nie chce się tego czytać, o komentowaniu Twoich wypocin nie wspomnę. Rację ma KamieniKupa, połprzewodniki dzielimy na samoistne lub domieszkowane.
Muerte.. (autor: Rafuncio | data: 11/07/15 | godz.: 23:44)
domieszkowanie oznacza wprowadzenie małej ilości pierwiastka. W przypadku stopów nie ma żadnych ograniczeń w proporcjach. Dlatego ostrożniej wypowiadaj się w kwestiach semantycznych.
@05 Kolejna definicja z tygodnika Pani Domu (autor: KamieniKupa | data: 12/07/15 | godz.: 14:11)
Domieszkowanie jest pojęciem czysto krystalograficznym które z definicji jest zastąpienie atomu/jonu w sieci krystalicznej innym atomem lub jonem.

Przy domieszkowaniu równie dobrze może być zastąpione 90% jonów materiału domieszkowanego.

W półprzewodnikach stosuje się domieszkowanie w celu stworzenia nowego pasma.

IBM zastosowało tutaj krzem domieszkowany germanem, w nieznanych nam proporcjach(one tu są najważniejsze..) co pozwoliło na obniżenie przerwy energetycznej, przez co prawdopodobnie zmniejszy się pobór prądu oraz pozwoli na większe częstotliwości zwiększając zarazem czułość na szumy termiczne.
@06 (autor: bmiluch | data: 14/07/15 | godz.: 10:44)
https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon-germanium

tam jest napisane, że to "alloy"

oczywiście, mogą się mylić - ale osobiście za lepsze źródło większość uzna Wikipedię niż Kupę Kamieni
Ktos sie orientuje (autor: pandy | data: 15/07/15 | godz.: 19:53)
jaki jest rzeczywisty rozmiar?

Co do SiGe - oczywiscie ze stop, podobnie jak wiele materialow polprzewodnikowych opartych na Indzie (np InSb), Tellurze (CdTe, Bi2Te3, PbTe) itd...
@08 (autor: KamieniKupa | data: 16/07/15 | godz.: 21:14)
Jeżeli już to w półprzewodnikach stosujemy zapis pokazujący stopień domieszkowania w domieszkowanym półprzewodniku, czyli:

Si1-xGex, In1-xSbx

Związków na tellurze nie używa się normalnie do produkcji układów scalonych. Jeżeli już to coś z AIIIBV.
@9 Ech... (autor: pandy | data: 17/07/15 | godz.: 18:04)
nie prowadzimy dyskusji o konkretnym zlaczu a materialach - przy tym poziomie ogolnosci zwyczajnie nie ma to znaczenia i jak domyslam sie w tekscie zrodlowym nie ma nawet o tym mowy.
Zwiazki o ktorych wspomnialem sa powszechnie uzywane w technice detektorow (np FLIR, X-ray czy np konwerterach termoelektrycznych) - elektronika to nie tylko uklady scalone...

D O D A J K O M E N T A R Z

Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.