Całkiem niedawno Intel chwalił się rozpoczęciem produkcji pamięci NAND w nowym, 25nm procesie produkcji, co spowodowało falę entuzjazmu wśród użytkowników. Dobry humor rywalowi postanowił jednak zepsuć Samsung, który ogłosił rozpoczęcie produkcji układów NAND flash w 20nm procesie produkcji, tym samym obejmując pierwsze miejsce w wyścigu technologicznym. Pojedyncza kość charakteryzuje się dwukrotnie większą pojemnością - 64GB w stosunku do wytwarzanych w 30nm, 3-bitowych układów 32GB-towych. W pojedynczym chipie upakowano aż 8GB, a nie jak to miało miejsce dotychczas 4GB. Samsung deklaruje, że nowe rozwiązanie pozwala na zapis danych ponad 10 000 razy w ciągu cyklu „życia” produktu.
W chwili obecnej pozostało nam więc już tylko czekać na ruch ze strony pozostałych dwóch wielkich rozgrywających w tym segmencie, to jest firm Sandisk oraz Toshiba.
K O M E N T A R Z E
super... (autor: Torwald | data: 14/10/10 | godz.: 09:27) Niech zamiast przechwałek o procesach technologicznych zaleją rynek tanimi dyskami SSD - wtedy wywołają falę entuzjazmu wśród użytkowników...
Intel juz od dawna nie jest żadnym liderem (autor: Qjanusz | data: 14/10/10 | godz.: 09:27) ten news jest tego kolejnym potwierdzeniem.
Qjanusz (autor: Torwald | data: 14/10/10 | godz.: 09:36) Jeśli chodzi o liczbę sprzedawanych procesorów na rynek PC / notebooków, to chyba jednak nadal jest na pierwszym miejscu...
@Torwald (autor: Qjanusz | data: 14/10/10 | godz.: 09:51) miałem na myśli lidera technologii.
Co do sprzedaży CPU to masz oczywiście rację.
Qjanusz (autor: Dzban | data: 14/10/10 | godz.: 11:06) Ale flashe łatwiej produkować w nowszym procesie niż procesory.
błąd w tytule - to nie są pamięci 20nm (autor: bmiluch | data: 14/10/10 | godz.: 11:30) zgodnie z treścią informacji prasowej pamięci nie są produkowane w 20nm tylko w
"20 nanometer (nm)-class* process technology"
" * Editors' Note: 20nm-class means a process technology node somewhere between 20 and 29 nanometers and 30nm-class means a process technology node somewhere between 30 and 39 nanometers. "
@Dzban (autor: Qjanusz | data: 14/10/10 | godz.: 11:31) bo budowa tych układów jest prosta jak budowa cepa.
Każda nowa technologia zaczyna się od produkcji pamięci.
@bmiluch (autor: Qjanusz | data: 14/10/10 | godz.: 11:33) e tam, szukasz dziury w całym:
@Qjanusz (autor: bmiluch | data: 14/10/10 | godz.: 11:47) 1. różnica pomiędzy 70 a 79 nm jest żadna
pomiędzy 20 a 29nm to już praktycznie 2x więcej tranzystorów na mm2
2. zauważ, że przy przejściu z 30nm na 20nm upakowanie elementów powinno być średnio 2,25 razy większe; dodatkowo są to pierwsze pamięci zapisujące 3bit/cell co powinno skutkować dodatkowym 1,5 większym upakowaniem; razem 1,5x1,5x1,5=3,375 a oni się chwalą raptem tylko 2krotnym wzrostem pojemności;
wygląda to tak, jakby przeszli np. z 32nm na 28nm
3. czyżby Samsung próbował wyprzedzić Intela także w marketingowym dymaniu klientów?
@bmiluch (autor: Mariosti | data: 14/10/10 | godz.: 14:58) Proces technologiczny względem gęstości upakowania tranzystorów/elementów w układzie nie jest relacją liniową.
@Mariosti (autor: bmiluch | data: 14/10/10 | godz.: 15:14) zgadam się, jednak ze względów praktycznych jest to dobre przybliżenie
co do mistycznego procesu 20nm Samsunga - jest wiele informacji w sieci, że obecnie Samsung używa 32nm (w porywach 28nm)
hiehie (autor: morgi | data: 14/10/10 | godz.: 21:14) Dokladnie Intel juz dawno robi w 20 nm 'class' i byl pierwszy, tak samo jak z cpu, jest pierwszy i jedyny z 32 nm, wlasnie rozpoczal produkcje nowej miazdzacej architektury mlota na spychacza czasu, czyli wazniejszy punkt programu tick-tock.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
