Hynix poinformował o wyprodukowaniu pierwszych partii 2Gb chipów pamięci DRAM przeznaczonych do zastosowań mobilnych. Układy uzyskane zostały w procesie technologicznym 54 nanometry i oferują szybkości na poziomie 400 megabitów na sekundę (Mbps). Według producenta chipy mogą pracować z napięciem zasilania o wartości zaledwie 1.2V. Układy pozwolą stworzyć 4-ro gigabajtowe kości pamięci formatu SoDIMM dla komputerów klasy mobile. Aktualnie do testów trafiają już pierwsze moduły wykorzystujące sample inżynieryjne nowych chipów. Masowa produkcja układów ma się rozpocząć w pierwszym kwartale 2009 roku.
K O M E N T A R Z E
Jeszcze nikt nie napisał komentarza.
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
Hynix poinformował o wyprodukowaniu pierwszych partii 2Gb chipów pamięci DRAM przeznaczonych do zastosowań mobilnych. Układy uzyskane zostały w procesie technologicznym 54 nanometry i oferują szybkości na poziomie 400 megabitów na sekundę (Mbps). Według producenta chipy mogą pracować z napięciem zasilania o wartości zaledwie 1.2V. Układy pozwolą stworzyć 4-ro gigabajtowe kości pamięci formatu SoDIMM dla komputerów klasy mobile. Aktualnie do testów trafiają już pierwsze moduły wykorzystujące sample inżynieryjne nowych chipów. Masowa produkcja układów ma się rozpocząć w pierwszym kwartale 2009 roku.