Koncern Samsung poinformował, że jako pierwszy rozpoczął masową produkcję kości pamięci NAND flash o pojemności 16 Gbit - ma to pozwolić na stworzenie 16 GB kart pamięci. Pamięci te mają być produkowane w technologii 51 nm, która ma być o 60% bardziej efektywna niż produkcja w 60 nm. Kości te korzystają ze struktury MLC (Multi-Level Cell), a ponadto mają oferować prędkość odczytu na poziomie 30 MB na sekundę i zapisu na poziomie 8 MB na sekundę. Pamięci te mają trafić do sprzedaży jeszcze w tym roku - dokładny termin nie został jak na razie podany.
K O M E N T A R Z E
że tak powiem... (autor: sol4rlag | data: 30/04/07 | godz.: 10:20) ... dużo i szybko. W sam raz na SSD. Oczywiście o ile cena na to pozwoli, ale podejrzewam, że wraz w wzrostem pojemności pojedynczej kości współczynnik GB/$ powinien rosnąć.
?... (autor: AZet | data: 30/04/07 | godz.: 11:33) "pamięci NAND flash o pojemności 16 Gbit - ma to pozwolić na stworzenie 16 GB kart pamięci." ?
nie ma tu bledu?
16Gib=2GiB (autor: zbiggy | data: 30/04/07 | godz.: 13:21) 16Gb=2GB w układzie SI
ano wlasnie (autor: AZet | data: 30/04/07 | godz.: 19:56) wiec nie lepiej trzymac sie jednego ?
zbiggy (autor: RusH | data: 30/04/07 | godz.: 23:03) wez ty sie schowaj z tym SI :)
8 kosci 16Gbit = karta pamieci 16GB
D O D A J K O M E N T A R Z
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
