TwojePC.pl © 2001 - 2024
|
|
Poniedziałek 23 kwietnia 2007 |
|
|
|
Pamięci Samsung DRAM TSV Autor: Adam | źródło: Akihabara | 08:15 |
| Samsung przedstawił nowy sposób produkcji kości pamięci DRAM, który ma pozwolić na zwiększenie pojemności przy jednoczesnym zmniejszeniu poboru mocy i ilości zajmowanego miejsca. Rozwiązanie to nosi nazwę TSV (Through Silicon Via) - dzięki niemu możliwe jest umieszczenie czterech 512 Mbit kości pamięci DRAM DDR2 w obudowie o wielkości pojedynczej kości, dając wynikowo 2 Gbit kość pamięci. Tak stworzone 2 Gbit kości pamięci mają ułatwić produkcję 2 GB, a przede wszystkim 4 GB, modułów pamięci DRAM DDR2. Przedstawione rozwiązanie ma być stosowane od około 2010 roku. |
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
D O D A J K O M E N T A R Z |
|
|
|
Aby dodawać komentarze, należy się wpierw zarejestrować, ewentualnie jeśli posiadasz już swoje konto, należy się zalogować.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|