[Angielski] Pomoc - tłumaczenie kilku zdań.

	B O A R D
	» Board » Zadaj pytanie » Archiwum » Szukaj » Stylizacja

M E N U

» Nowości

» Archiwum

» Recenzje / Testy

» Board

» Rejestracja

Szukaj @ TwojePC

	OBECNI NA TPC
	» Janusz 22:36 » P@blo 22:30 » okobar 22:27 » muerte 22:25 » biEski 22:22 » milekp 22:22 » Okota 22:21 » rulezDC 22:19 » SebaSTS 22:15 » metacom 22:14 » kemilk 22:06 » Lucyferiu 22:05 » Dexter 21:59 » Wolf 21:58 » bajbusek 21:52 » Kenny 21:47 » myszon 21:46 » Rafael_3D 21:45 » Demo 21:42 » tian 21:39 Dzisiaj przeczytano 41120 postów, wczoraj 25974 Szybkie ładowanie jest: włączone.

ccc

A R C H I W A L N A W I A D O M O Ś Ć

[Angielski] Pomoc - tłumaczenie kilku zdań. , Bitboy_ 17/06/07 21:02
Mam taki techniczny tekst, potrzebuje się zorientować co robią te maszyny :).

"The main use of the Epsilon is for epitaxial growth of silicon and silicon germanium (SiGe) alloys. Our Epsilon products can also be used to heat wafers to high temperatures using integrated lamps to form a film on the surface of a single wafer by Chemical Vapor Deposition (CVD). In 2000, the Epsilon 2000 received a prestigious Editors' Choice Best Product Award from Semiconductor International magazine, honoring products that make a difference in semiconductor manufacturing. The Epsilon 2500 offers the highest throughput in the industry for advanced atmospheric epitaxial silicon applications. Our Epsilon 3000 was the first system to apply epi to 300mm wafers with epitaxial layers. We offer both stand-alone and modules that can be integrated with our Polygon cluster tools."

"Epsilon 2000 200mm Epitaxial Reactor

* Widest available range of atmospheric and reduced-pressure processes
* Over 10 years of process development and product refinement
* SMIF compatibility option now available with Delta Transfer System option

Unique Process Chamber Design

* High velocity, laminar gas flow
* Sharpest dopant transitions
* Superior auto-doping control
* Lowest metal contamination
* Highest silicon growth rate
* Lowest reactor chamber wall deposits
* Advanced particle and mound control

Standalone Process Flexibility"

9600K@4.6,AorusEliteZ390,CryorigR1
Ultimate,GskillRipJawsV360016GB,AsusGTX1070
,FraDesION660P

z tego co zrozumiałęm , myszon 17/06/07 23:12
to te maszyny stymulują wzrost kryształów krzemu i potrafią taki krzem nanieść na wafel drogą naparowywania cahemicznego (?). Ogólnie to służy do robienia struktur półprzewodnikowych.
dokladnie , Rafael_3D 18/06/07 01:14
chaotycznie i w skrocie: podgrzewa wafel (plaster, warstwe jak kto woli) do wys. temperat.uzywajac wbudowanych lamp w celu utworzenia warstwy (cienkiej niczym film z C.Diaz) na powierzchni tegoż wafla przez chemiczna zmiane pozycji naparowywania/naniesienia ????
E2k otrzymal best produkta za nowacyjna produkce p/przewodn. E2,5k oferuje wyzsze parametry (w skrocie: w zapodawaniu tegoz krzemu)
E3k jest pierwszym sysemem ze zwiekszona iloscia warstw(?) w celu uzyskania 30o milimetrowych wafli w )czyms tam) :) oferujemy moduly pojedyncze i z mozliwoscia integracji w klastry
reszta...a ch. z reszta, ide spac :0
Gdy niesprawiedliwość staje się prawem, bunt jest obowiązkiem.
Re: , Kenny 18/06/07 01:15
Epsilon zajmuje sie glownie wzrostem epitaksjalnym krzemu oraz stopow SiGe. Ich urzadzenia moga tez byc uzywane do pogrzewania plytek polprzewodnikowych do wysokich temperatur, przy uzyciu zintegrowanych lamp w celu utworzenia powloki na powierzchni pojedynczego ukladu w procesie osadzania chemicznego z warstwy gazowej. Dalej idąprzechwałki co osiagneli i co potrafia ich urzadzenia :)
.:Pozdrowienia:.
WRÓC :) , Kenny 18/06/07 01:18
zamiast wzrost epitaksjalny powinno byc osadzanie warstwy epitaksjalnej (poprzez proces CVD, co jest napisane nizej)
.:Pozdrowienia:.